文献

J-GLOBAL ID：202002267103998624   整理番号：20A1548704

fmルブレン・ルブレンよりなる単結晶pnヘテロ界面の構造解析

著者 (11件)： 高橋加奈 (東京理大) ,  伊澤誠一郎 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  鶴田諒平 (東京理大) ,  岩下政揮 (東京理大) ,  遠藤豪太 (東京理大) ,  郡上祐輝 (東京理大) ,  細貝拓也 (産業技術総合研) ,  小金澤智之 (JASRI) ,  椴山儀恵 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  平本昌宏 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  中山泰生 (東京理大)
資料名： 日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 100th  ページ： ROMBUNNO.2PB-130  発行年： 2020年03月05日 
JST資料番号： S0493B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 代表的な高移動度p型半導体分子として知られるルブレンを起点に,含フッ素置換基の導入によりn型化したルブレン誘導体を組み合わせることで,正孔・電子ともに高い移動度を示す高機能pnデバイスへの応用展開を着想した。本講演では,一方の材料の単結晶表面上にもう一方の分子がエピタキシャル成長した単結晶pn界面が得られることを,斜入射X線回折法などにより詳細に明らかにした結果を主に発表する。(著者抄録)

シソーラス用語： P型半導体 ,  N型半導体 ,  PN接合 ,  *ヘテロ接合 ,  *芳香族フッ素化合物 ,  単結晶 ,  界面 ,  構造解析 ,  置換基効果 ,  キャリア移動度 ,  機能材料 ,  エピタクシー ,  X線回折 ,  すれすれ入射 ,  P-Nヘテロ接合 ,  ヘテロ界面 ,  正孔移動度 ,  電子移動度 ,  高機能材料 ,  斜め入射
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

分類 (2件)： 四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (1件)： ルブレン

タイトルに関連する用語 (6件)： Fm ,  ルブレン ,  単結晶 ,  PN ,  ヘテロ界面 ,  構造解析