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J-GLOBAL ID：202002287033288879   整理番号：20A0993287

励起子絶縁体Ta₂NiSe₅の高強度テラヘルツ電場応答 II

Effect of intense THz electric field in excitonic insulator Ta₂NiSe₅: II

著者 (13件)： 高村直幹 (東大 大学院) ,  西澤葉 (東大 工) ,  鈴木博貴 (東大 大学院) ,  LIANG S. (東大 大学院) ,  近藤秋洋 (東大 大学院) ,  大瀧貴史 (東大 大学院) ,  宮本辰也 (東大 大学院) ,  水井誠 (東大 大学院) ,  貴田徳明 (東大 大学院) ,  中埜彰俊 (名古屋大 理) ,  澤博 (名古屋大 工) ,  岡本博 (東大 大学院) ,  岡本博 (産業技術総合研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 75  号： 1  ページ： ROMBUNNO.18pPSB-143  発行年： 2020年03月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 絶縁体 ,  テラヘルツ波 ,  *電子正孔対 ,  *ポンププローブ法 ,  イオン化 ,  光学ギャップ ,  *相転移 ,  反射率 ,  *トンネルイオン化
準シソーラス用語： *テラヘルツ光 ,  *励起子絶縁体

分類 (2件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 励起子絶縁体 ,  Ta2NiSe5 ,  高強度 ,  テラヘルツ ,  電場 ,  応答