文献

J-GLOBAL ID：202002297632843874   整理番号：20A0114505

光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定

Estimation of Internal Quantum Efficiency in Various InGaN Single Quantum Wells with Different Qualities by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Measurements

著者 (8件)： 森恵人 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  高橋佑知 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  森本悠也 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  山口敦史 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  草薙進 (ソニー 厚木テクノロジーセ) ,  蟹谷裕也 (ソニー 厚木テクノロジーセ) ,  工藤喜弘 (ソニー 厚木テクノロジーセ) ,  冨谷茂隆 (ソニー 厚木テクノロジーセ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119  号： 304(LQE2019 76-101)  ページ： 101-106  発行年： 2019年11月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化物半導体の光学的性質を正しく理解するためには,まず内部量子効率(IQE:Internal Quantum Efficiency)を正確に測定することが重要であると考えられる.これまでに,我々は光音響(PA:Photoacoustic)・発光(PL:Photoluminescence)同時計測によるIQE測定をGaN膜に適用し妥当な結果を得ている.しかしながら,この測定をInGaN単一量子井戸(SQW:Single Quantum Well)において行う場合,活性層がGaN膜に比べ非常に薄いため,PA信号強度が小さく,再現性のあるIQE測定が難しいという課題があった.そこで本研究では,PA測定のノイズ低減を行い,S/N比を1桁以上改善することに成功した.そして,この手法を用いて品質の異なる種々のInGaN SQWに対してIQE測定を行った.(著者抄録)

シソーラス用語： *量子効率 ,  量子井戸 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *光音響効果 ,  *発光スペクトル ,  雑音低減 ,  SN比

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (17件)：

• T. Wang, D. Nakagawa, M. Lachab, T. Sugahara, and S. Sakai,“Optical investigation of InGaN/GaN multiple quantum wells”, Appl. Phys. Lett., Vol. 74, No. 21, (1999).
• Tetsuya Akasaka, Hideki Gotoh, Tadashi Saito, and Toshiki Makimoto,“High luminescent efficiency of InGaN multiple quantum wells grown on InGaN underlying layers”, Appl. Phys. Lett., Vol. 85, No. 15, (2004).
• Takakazu Kohno, Yasuhiro Sudo, Masaki Yamauchi, Kazuya Mitsui, Hiromitsu Kudo, Hiroaki Okagawa, and Yoichi Yamada,“Internal Quantum Efficiency and Nonradiative Recombination Rate in InGaN-Based Near-Ultraviolet Light-Emitting Diodes”, Jpn. J. Appl. Phys. 51 072102, (2012).
• Daisuke Iida, Ahmed Fadil, Yuntian Chen, Yiyu Ou, Oleksii Kopylov, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi,Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Haiyan Ou,“Internal quantum efficiency enhancement of GaInN/GaN quantum-well structures using Ag nanoparticles”, AIP Advances 5, 097169 (2015).
• Qi Dai, Qifeng Shan, Jing Wang, Sameer Chhajed, Jaehee Cho, E. Fred Schubert, Mary H. Crawford, Daniel D. Koleske, Min-Ho Kim, and Yongjo Park, “Carrier recombination mechanisms and efficiency droop in GaInN/GaN light-emitting diodes”, Appl. Phys. Lett. 97, 133507 (2010).

タイトルに関連する用語 (5件)： 同時計測 ,  InGaN ,  量子井戸 ,  内部量子効率 ,  推定