特許

J-GLOBAL ID：202003001370939373

シリコンカーバイドの製造方法

発明者： 別部 輝生 ,  中島 裕美子 ,  佐藤 一彦 ,  佐治木 弘尚 ,  澤間 善成
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (3件)： 平川 明 ,  佐貫 伸一 ,  筧 ちひろ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-127265
公開番号（公開出願番号）：特開2020-007171
出願日： 2018年07月04日
公開日（公表日）： 2020年01月16日
要約：

【課題】900°C以上という高温プロセスを必要とすることなく、シリコンカーバイドを製造する方法を提供する。【解決手段】式(1)で表されるアルコキシシランを、金属の存在下、メカノケミカル反応させることにより、該アルコキシシランをシリコンカーバイドに変換する工程を含む、シリコンカーバイドの製造方法。Si(OR1)nR24-n (1)(式(1)中、R1はそれぞれ独立して炭素数1〜20の炭化水素基、R2はそれぞれ独立して炭素数1〜24の炭化水素基、nは1以上4以下の整数を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

式(1)で表されるアルコキシシランを、金属の存在下、メカノケミカル反応させることにより、該アルコキシシランをシリコンカーバイドに変換する工程を含む、シリコンカーバイドの製造方法。 Si(OR1)nR24-n (1) (式(1)中、R1はそれぞれ独立して炭素数1〜20の炭化水素基、R2はそれぞれ独立して炭素数1〜24の炭化水素基、nは1以上4以下の整数を表す。)

IPC (1件)：

C01B 32/977

FI (1件)：

C01B32/977

Fターム (9件)：

4G146AA26 ,  4G146MA14 ,  4G146NA13 ,  4G146NA22 ,  4G146NB03 ,  4G146NB10 ,  4G146NB17 ,  4G146NB18 ,  4G146QA10