結晶成長条件の決定方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-161654
公開番号（公開出願番号）：特開2020-033231
出願日： 2018年08月30日
公開日（公表日）： 2020年03月05日
要約：

【課題】SiC単結晶の結晶成長面に形成されているステップの高さを制御することが可能な結晶成長条件の決定方法を提供すること。【解決手段】ケイ素(Si)および炭素(C)を含む原料溶液中で液相成長法によりSiC種結晶の結晶成長面にステップを進展させてSiC単結晶を結晶成長させる際の結晶成長条件の決定方法は、特定領域決定工程と、成長条件決定工程と、を備える。特定領域決定工程は、結晶成長面において、ステップバンチングにより形成されているマクロステップの平均高さが結晶成長面内の他の領域よりも高い領域である特定領域を決定する。成長条件決定工程は、特定領域の少なくとも一部を含むように第1領域を結晶成長面に形成する成長条件を決定する。第1領域は、結晶成長面における原料溶液の流動方向がマクロステップの平均高さを低減させるように結晶成長させることができる方向である領域である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ケイ素(Si)および炭素(C)を含む原料溶液中で液相成長法によりSiC種結晶の結晶成長面にステップを進展させてSiC単結晶を結晶成長させる際の結晶成長条件の決定方法であって、前記結晶成長面において、ステップバンチングにより形成されているマクロステップの平均高さが前記結晶成長面内の他の領域よりも高い領域である特定領域を決定する特定領域決定工程と、前記特定領域の少なくとも一部を含むように第1領域を前記結晶成長面に形成する成長条件を決定する成長条件決定工程であって、前記第1領域は、前記結晶成長面における前記原料溶液の流動方向が前記マクロステップの平均高さを低減させるように結晶成長させることができる方向である領域である、前記成長条件決定工程と、を備える、結晶成長条件の決定方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 , C30B 19/10 , C30B 19/12

FI (3件)：

C30B29/36 A , C30B19/10 , C30B19/12

Fターム (10件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077EA10 , 4G077ED02 , 4G077ED05 , 4G077EH08 , 4G077QA04 , 4G077QA42 , 4G077QA79

引用特許：

審査官引用 (1件)

SiC単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-185973 出願人：国立大学法人名古屋大学

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