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J-GLOBAL ID：202102218546343848   整理番号：21A1575055

3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性(I)-炭化水素分子イオン注入ウェーハによるSiO₂/Si界面準位欠陥の低減-

Characteristic of Molecular Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers for 3D-Stacked CMOS Image Sensors (I)-Reduction of SiO₂/Si Interface State using Hydrocarbon-Molecular-Ion-Implanted Wafers-

著者 (9件)： 奥山亮輔 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  鈴木陽洋 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.19a-Z29-1  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに.近年,CMOSイメージセンサ(CIS)は画素と画像データ演算処理機能を別々のウェーハに作製した後にウェーハ接合をおこなう3次元積層型CISの採用によって高性能化,高機能化が進んでいる.従来からCISの技術課題の一つに素子分離領...【本文一部表示】

シソーラス用語： *界面 ,  吸着 ,  雑音 ,  電圧 ,  熱処理 ,  *表面準位 ,  アルミニウム ,  *ケイ素 ,  酸素 ,  *水素 ,  *イオン注入 ,  *二酸化ケイ素 ,  *炭化水素 ,  多層膜 ,  *三次元

分類 (2件)： その他の光デバイス  (BD06060O) ,  レーザの応用  (BD04100V)

タイトルに関連する用語 (12件)： 3次元 ,  CIS ,  分子イオン ,  注入 ,  エピタキシャルウェーハ ,  炭化 ,  水素分子イオン ,  ウェーハ ,  SiO2 ,  Si ,  界面準位 ,  欠陥