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J-GLOBAL ID：202102219391612804   整理番号：21A1971205

励起子絶縁体Ta₂NiSe₅の高強度テラヘルツ電場応答 III

Responses to an intense THz electric-field pulse in an excitonic insulator Ta₂NiSe₅: III

著者 (11件)： 高村直幹 (東大 大学院) ,  斎藤真幸 (東大 工) ,  LIANG S. (東大 大学院) ,  大瀧貴史 (東大 大学院) ,  宮本辰也 (東大 大学院) ,  水井誠 (東大 大学院) ,  貴田徳明 (東大 大学院) ,  中埜彰俊 (名古屋大 理) ,  澤博 (名古屋大 工) ,  岡本博 (東大 大学院) ,  岡本博 (産業技術総合研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 76  号： 1  ページ： ROMBUNNO.15pE1-4  発行年： 2021年03月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 層状遷移金属カルコゲナイドTa2NiSe5は、励起子絶縁体の候補として注目されている物質の一つである[1]。この系に強電場を印加すれば、クーロン相互作用によって結びついた電子-正孔対が乖離し、励起子絶縁体相が融解する可能性がある。強電場を印...【本文一部表示】

シソーラス用語： *絶縁体 ,  *タンタル化合物 ,  *ニッケル化合物 ,  *セレン化物 ,  *分光分析 ,  反射率 ,  過渡応答 ,  依存性 ,  キャリア生成 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *励起子絶縁体 ,  *テラヘルツ分光 ,  光反射率 ,  過渡特性 ,  電場依存性

分類 (1件)： 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 励起子絶縁体 ,  Ta2NiSe5 ,  高強度 ,  テラヘルツ ,  電場 ,  応答