文献
J-GLOBAL ID:202102236255505178
整理番号:21A1575056
3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性(II)-CH4Nイオン注入誘起欠陥の熱的分解挙動の加熱TEMその場観察-
Characteristics of Molecular Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers for 3D-stacked CMOS Image Sensors (II)-In Situ TEM Observation of Thermal Dissolution Behavior of CH4N Multielement-Molecular-Ion-Implantation-Induced Defects-
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