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J-GLOBAL ID：202102241330444728   整理番号：21A1575058

3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性(IV)-Dark current spectroscopy法によるエピタキシャル層注入ウェーハの白キズ欠陥の抑制メカニズム解析-

Characteristics of Molecular Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers for 3D-Stacked CMOS Image Sensors (IV)-Dark Current Reduction Mechanism of Molecular Ion Implanted Double Epitaxial Wafers Using Dark Current Spectroscopy-

著者 (8件)： 柾田亜由美 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  鈴木陽洋 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.19a-Z29-4  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： トランジスタ ,...

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分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  生体膜一般  (EF04010G) ,  固体プラズマ  (BM02160W) ,  バイオアッセイ  (EA03060N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 3次元 ,  CIS ,  分子イオン ,  注入 ,  エピタキシャルウェーハ ,  エピタキシャル層 ,  ウェーハ ,  白 ,  欠陥 ,  メカニズム解析