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J-GLOBAL ID：202102243609448418   整理番号：21A1575254

CMOS互換プロセスで作製したシリコンラマンレーザの低閾値化

Low Threshold Silicon Raman Lasers Fabricated by CMOS Compatible Process

著者 (3件)： 太田雄士 (大阪府大 大学院) ,  岡野誠 (産業技術総合研) ,  高橋和 (大阪府大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.19p-Z10-13  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： Raman散乱 ,...
準シソーラス用語： 共振モード

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分類 (3件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  レーザの応用  (BD04100V) ,  生体の顕微鏡観察法  (EA03050C)

タイトルに関連する用語 (6件)： CMOS ,  プロセス ,  作製 ,  シリコン ,  ラマンレーザ ,  閾値