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J-GLOBAL ID：202102247063259073   整理番号：21A1574437

CMOS互換プロセスで作製したナノ共振器シリコンラマンレーザの高温特性評価

Temperature dependence of Raman silicon nanocavity laser fabricated by CMOS-compatible process

著者 (5件)： 岡田康孝 (大阪府大 大学院) ,  藤本正直 (大阪府大 大学院) ,  太田雄士 (大阪府大 大学院) ,  岡野誠 (産業技術総合研) ,  高橋和 (大阪府大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.18p-P03-4  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.概要.我々は高Q値ナノ共振器を用いたシリコンラマンレーザを開発してきた[1].このレーザは,シリコンのみから作製され,100μm2程度の超小型サイズを持ち,マイクロワット以下の超低閾値で室温連続発振するそのため,情報通信,センシング分野...【本文一部表示】

シソーラス用語： Raman散乱 ,  *共振器 ,  格子定数 ,  *ケイ素 ,  *Ramanレーザ ,  Q値 ,  連続発振 ,  レーザ発振 ,  昇温 ,  *微小共振器 ,  *CMOS ,  光強度 ,  ヘテロ構造 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： 共振モード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： レーザの応用  (BD04100V) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (8件)： CMOS ,  プロセス ,  作製 ,  ナノ共振器 ,  シリコン ,  ラマンレーザ ,  高温特性 ,  評価