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J-GLOBAL ID：202102267047978537   整理番号：21A1526950

YSZ単結晶基板上におけるYbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の面内配向制御

著者 (6件)： 小笠原史織 (岡山大) ,  阪上拓巳 (岡山大) ,  大田怜佳 (岡山大) ,  狩野旬 (岡山大) ,  池田直 (岡山大) ,  藤井達生 (岡山大)
資料名： 粉体粉末冶金協会講演大会(Web)  (Abstracts of Japan Society of Powder and Powder Metallurgy (Web))
巻： 2021  号： 春季  ページ： ROMBUNNO.7-3A (WEB ONLY)  発行年： 2021年 
JST資料番号： U1464A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  薄膜 ,  *鉄酸塩 ,  希土類元素化合物 ,  イッテルビウム化合物 ,  基板 ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  結晶方位 ,  格子不整合 ,  エピタキシャル膜 ,  単結晶基板 ,  YSZ【セラミック】 ,  配向制御
準シソーラス用語： 希土類化合物 ,  *結晶配向

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： YSZ ,  単結晶基板 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  配向制御