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J-GLOBAL ID：202102271450081469   整理番号：21A1574106

次世代CMOSイメージセンサ向け多元素分子イオン注入ウェーハにおける水素脱離挙動の反応速度論による解析と考察

Reaction Kinetic Analysis of Desorption Behavior of Hydrogen in Projection Range of Multi-Element Molecular Ion Implanted Epitaxial Wafer for Advanced CMOS image sensors

著者 (8件)： 奥山亮輔 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.17p-Z26-2  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： エピタクシー ,...

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分類 (2件)： 蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (10件)： 次世代 ,  CMOSイメージセンサ ,  元素 ,  分子イオン ,  注入 ,  ウェーハ ,  水素脱離 ,  挙動 ,  反応速度論 ,  解析