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J-GLOBAL ID：202102272608294475   整理番号：21A0697044

ホモエピタキシャル成長した単結晶ルブレン薄膜の電子状態とそのドーピングに伴う変化

Electronic States of the Homoepitaxially-grown Rubrene Single-crystalline Thin Films and Their Variations upon Impurity Doping

著者 (7件)： 中山泰生 (東理大 院) ,  岩下政揮 (東理大 院) ,  鶴田諒平 (東理大 院) ,  郡上祐輝 (東理大 院) ,  谷原佑輔 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  伊澤誠一郎 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  平本昌宏 (岡崎国立共同研究機構 分子科研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10a-Z25-3  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 不純物ドーピングは半導体物質の電子機能性を制御するための基幹技術といえる。有機半導体についても,材料の高純度化と精密に制御された真空蒸着技術により,単結晶へのppmレベルでの制御された不純物ドーピングが可能となった[1]。例えば,ルブレン単...【本文一部表示】

シソーラス用語： アクセプタ ,  イオン化 ,  *エピタクシー ,  真空蒸着 ,  太陽電池 ,  *単結晶 ,  *薄膜 ,  不純物 ,  有機半導体 ,  窒素 ,  濃度依存性 ,  非晶質 ,  *ドーピング ,  スペクトル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ルブレン

タイトルに関連する用語 (7件)： ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  単結晶 ,  ルブレン ,  薄膜 ,  電子状態 ,  ドーピング