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J-GLOBAL ID：202102286890477131   整理番号：21A0956908

イオンゲートしたSrTiO₃表面における超伝導特性の広範囲キャリア密度依存性

Wide range carrier density dependence of superconducting properties in ion-gated SrTiO₃ surfaces

著者 (6件)： 大内拓 (東北大 金属材料研) ,  清水直 (理研 CEMS) ,  清水直 (電力中研) ,  岩佐義宏 (理研 CEMS) ,  岩佐義宏 (東大 大学院) ,  野島勉 (東北大 金属材料研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 75  号： 2  ページ： ROMBUNNO.10aF1-6  発行年： 2020年09月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 近年、電場誘起結晶表面、剥離原子層、ヘテロ界面といった高い結晶性を持つ2次元超伝導体が数多く出現し、少ない乱れや空間反転対称性の破れを起源とする、従来の金属薄膜超伝導体にはない新規物性が出現している[1]。これらの中でも、電気二重層トランジ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *チタン酸ストロンチウム ,  *トランジスタ ,  *超伝導 ,  *表面 ,  制御 ,  *イオン液体 ,  超伝導体 ,  スピン-軌道相互作用 ,  *ゲート絶縁膜 ,  ゲート制御 ,  Rashbaスピン-軌道相互作用
準シソーラス用語： *電気二重層トランジスタ ,  二次元超伝導体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン ,  ゲート ,  超伝導特性 ,  キャリア ,  密度依存性