特許
J-GLOBAL ID：202103017226345079
ヒドロシランの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
平川 明
, 佐貫 伸一
, 石丸 竜平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-014696
公開番号（公開出願番号）：特開2018-123073
特許番号：特許第6942327号
出願日： 2017年01月30日
公開日（公表日）： 2018年08月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記式(I)で表されるイリジウム錯体及び有機塩基の存在下、下記式(a)で表される構造を有するシランと水素を反応させて下記式(b)で表される構造を有するヒドロシランを生成する水素化工程を含むことを特徴とするヒドロシランの製造方法。
(式(I)中、R1はそれぞれ独立して炭素原子数1〜10の炭化水素基を、R2は炭素原子数1〜10の3価の炭化水素基を、R3はそれぞれ独立して炭素原子数1〜10の炭化
水素基を、R4はカルボニル基を、R5は窒素原子を含む1価の官能基で置換されていてもよい炭素原子数1〜10の炭化水素基を、mは0〜5の整数を、nは1又は2を、実線と破線の二重線は単結合又は二重結合を、Ir-N間の破線は配位結合を表す。但し、nが1の場合、実線と破線の二重線は二重結合であり、nが2の場合、実線と破線の二重線は単結合であり、R2とR3の炭化水素基が互いに連結して環状構造を形成している。)
(式(a)中、Lは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、又は下記式(s)で表される基を表す。)
(式(s)中、Rは窒素原子、酸素原子、及びハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数1〜10の炭化水素基を表す。)
IPC (2件)：
C07F 7/08 ( 200 6.01)
, C07B 61/00 ( 200 6.01)
C07F 7/08 B
, C07F 7/08 C
, C07B 61/00 300
