特許

J-GLOBAL ID：202103018484456191

コアシェル型シリカの製造方法

発明者： 増永 幸 ,  有光 慎之介 ,  宮原 浩嘉 ,  簑原 士行
出願人/特許権者： AGCエスアイテック株式会社
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  高橋 俊一 ,  伊藤 正和 ,  高松 俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-034997
公開番号（公開出願番号）：特開2018-150226
特許番号：特許第6964017号
出願日： 2018年02月28日
公開日（公表日）： 2018年09月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリカ粒子の表面にアミン化合物を反応させた後に、スクシンイミド骨格を有する高分子化合物を反応させ、ポリアミン化合物を反応させ、カチオン性高分子化合物で修飾された修飾シリカを得て、 該修飾シリカにシリカ原料を付着させ、焼成によりカチオン性高分子化合物を除去し、シリカシェル層を得る、コアシェル型シリカの製造方法。

IPC (4件)：

C01B 33/18 ( 200 6.01) ,  C08G 73/10 ( 200 6.01) ,  C08G 69/10 ( 200 6.01) ,  C08G 69/48 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C01B 33/18 C ,  C08G 73/10 ,  C08G 69/10 ,  C08G 69/48

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭59-112260