3次元積層型CIS向け多元素分子イオン注入エピウェーハの特性(II)-CH<sub>2</sub>Pイオン注入による白キズ欠陥抑制のメカニズム解析-

門野武; 門野武; 廣瀬諒; 柾田亜由美; 鈴木陽洋; 小林弘治; 奥山亮輔; 古賀祥泰; 福山敦彦; 栗田一成

文献

J-GLOBAL ID：202202210852304333 整理番号：22A0132189

3次元積層型CIS向け多元素分子イオン注入エピウェーハの特性(II)-CH₂Pイオン注入による白キズ欠陥抑制のメカニズム解析-

Characteristics of Multi-element Molecular Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers for 3D-Stacked CMOS Image Sensors (II)-Dark Current Reduction Mechanism of CH₂P Molecular Ion Implanted Epitaxial Wafers-

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巻： 82nd ページ： ROMBUNNO.10p-N203-5 発行年： 2021年08月26日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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細胞膜の輸送 , 脂質一般

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3次元積層型CIS向け多元素分子イオン注入エピウェーハの特性(II)-CH2Pイオン注入による白キズ欠陥抑制のメカニズム解析-

3次元積層型CIS向け多元素分子イオン注入エピウェーハの特性(II)-CH₂Pイオン注入による白キズ欠陥抑制のメカニズム解析-