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J-GLOBAL ID:202202212180455889   整理番号:22A1707776

3次元積層型CMOSイメージセンサ向けSiウェーハの製品設計(III)-X線光電子分光法を用いた炭化水素分子イオン注入Siウェーハ表面における結晶性回復挙動解析-

Product Design of Silicon Wafers for 3D Stacked CMOS Image Sensor (III)-Analysis of Recrystallization Behavior of Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Si wafer Surface Using X-ray Photoelectron Spectroscopy-
著者 (8件):
資料名:
巻: 69th  ページ: ROMBUNNO.26p-E104-7  発行年: 2022年02月25日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (3件):
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その他の光デバイス  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  蛋白質・ペプチド一般 
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