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J-GLOBAL ID：202202224200639398   整理番号：22A1705561

Si/SiO₂ハイメサ導波路のエッチング条件基礎検討

Fundamental investigation of dry-etching condition for Si/SiO₂ high-mesa waveguide etching

著者 (5件)： 嶋村雄太 (九大 大学院総合理工学府) ,  桑畑亮太 (九大 大学院総合理工学府) ,  田部井哲夫 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  JIANG Haisong (九大 大学院総合理工学府) ,  浜本貴一 (九大 大学院総合理工学府)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 69th  ページ： ROMBUNNO.22p-E303-10  発行年： 2022年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに.日常的な健康モニタリングシステムとして、小型呼気センシングシステムを研究開発している[1]。小型化のために光導波路型ガスセルを提案しており[2]、導波路構造としてSi/SiO2ハイメサ導波路の適用を検討している(図1)[1]。...【本文一部表示】

シソーラス用語： *エッチング ,  重合体 ,  *ケイ素 ,  濃度測定 ,  フォトレジスト ,  *二酸化ケイ素 ,  二酸化炭素 ,  小型化 ,  監視装置 ,  光導波路 ,  光集積回路 ,  メサ構造 ,  *導波路 ,  ドライエッチング ,  パターン形成 ,  改変

分類 (3件)： レーザの応用  (BD04100V) ,  その他の光デバイス  (BD06060O) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  SiO2 ,  導波路 ,  エッチング ,  基礎検討