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J-GLOBAL ID：202202235287772042   整理番号：22A2713743

高電圧・高周波電源のゲート駆動電源用自励式絶縁DC-DCコンバータの開発

Development of Self-excited Isolated DC-DC Converter for Gate Driver of High Voltage and High Frequency Power Supply

著者 (6件)： 枝廣康太 (岡山大 大学院自然科学研究科) ,  平木英治 (岡山大 大学院自然科学研究科) ,  梅谷和弘 (岡山大 大学院自然科学研究科) ,  石原將貴 (岡山大 大学院自然科学研究科) ,  河野真吾 (ダイヘン) ,  霜村光太 (ダイヘン)
資料名： 電気学会産業応用部門大会(CD-ROM)  (Proceedings of the IEE Japan Industry Applications Society Conference (CD-ROM))
巻： 2022  ページ： ROMBUNNO.1-28  発行年： 2022年 
JST資料番号： L2177B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高電圧,高周波スイッチング電源の高サイドゲートドライバのための分離電源は,高い絶縁性能と小さな寄生容量を必要とする。このような絶縁電源に構築された変圧器は,大きな漏洩インダクタンスを持つ傾向がある。その結果,出力電流が増加するとき,出力電圧は低下する。本論文では,この電圧降下を,コレクタ共振型と呼ばれる自己励起回路システムの二次側にコンデンサを加えることによって補償した。実証実験は,一定電圧出力が広い負荷範囲で得られることを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *DC-DCコンバータ ,  電源装置 ,  *スイッチングレギュレータ ,  ゲート【半導体】 ,  電気絶縁 ,  インダクタンス ,  *自己励磁 ,  漂遊容量 ,  電圧降下 ,  漏れインダクタンス
準シソーラス用語： サイドゲート ,  *スイッチング電源 ,  寄生容量 ,  高周波電源 ,  *自己励起 ,  絶縁性 ,  漏洩インダクタンス

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (10件)：

• Lakshmi Ravi, Xiang Lin, Dong Dong and Rolando Burgos : “An 11 kV AC 16 kV DC 200 kW Direct-to-Line Inverter Building-Block using Series-Connected 10 kV SiC MOSFETs”, Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) 2020 IEEE, pp. 362-369 (2020)
• Wuji Meng, Zirui Fu, Fanghua Zhang and Guangdong Dong : “Common Mode Modeling and Reduction of GaN-based Full Bridge Inverters”, Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia) 2018 1st Workshop on, pp. 60-65 (2018)
• Wuji Meng, Fanghua Zhang, Zirui Fu and Guangdong Dong : “High dv/dt Noise Modeling and Reduction on Control Circuits of GaN-Based Full Bridge Inverters”, Power Electronics IEEE Transactions on, Vol. 34, No. 12, pp. 12246- 12261 (2019)
• Srdjan Srdic, Fei Teng and Srdjan Lukic : “High-isolation Low-coupling-capacitance Standalone Gate Drive Power Supply for SiC-based MediumVoltage Power Electronic Systems”, 2019 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), pp. 3287-3291 (2019)
• Anup Anurag, Sayan Acharya, Nithin Kolli and Subhashish Bhattacharya : “Gate Drivers for Medium-Voltage SiC Devices”, Emerging and Selected Topics in Industrial Electronics IEEE Journal of, Vol. 2, No. 1, pp. 1-12 (2021)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高電圧 ,  高周波電源 ,  ゲート ,  自励 ,  絶縁 ,  DC-DCコンバータ ,  開発