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J-GLOBAL ID：202202238907711555   整理番号：22A1707775

3次元積層型CMOSイメージセンサ向けSiウェーハの製品設計(II)-SiO₂/Si界面準位欠陥の消滅に伴う歪み状態変化の光電子分光分析-

Product Design of Silicon Wafers for 3D Stacked CMOS Image Sensor (II)-Photoemission Spectroscopy Study on Variation in SiO₂/Si Interfacial Strain with Annihilation of Interface State Defects-

著者 (9件)： 鈴木陽洋 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  高橋和敏 (佐賀大 シンクロトロン光応用研究セ) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 69th  ページ： ROMBUNNO.26p-E104-6  発行年： 2022年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに.3次元積層型CMOSイメージセンサ(CIS)の歩留まりの向上には,フォトダイオードに近接するSiO2/シリコン(Si)界面準位欠陥(Siダングリングボンド;Pbセンター)から生じる暗電流の低減が必須である.Pbセンター密度の低...【本文一部表示】

シソーラス用語： エピタクシー ,  *界面 ,  シンクロトロン放射 ,  熱処理 ,  *表面準位 ,  鉛 ,  *ケイ素 ,  水素 ,  酸化膜 ,  イオン注入 ,  *二酸化ケイ素 ,  炭化水素 ,  暗電流 ,  *三次元 ,  *シリコンウエハ ,  化成皮膜

分類 (1件)： その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (10件)： 3次元 ,  CMOSイメージセンサ ,  Siウェーハ ,  製品設計 ,  SiO2 ,  Si ,  界面準位 ,  欠陥 ,  歪み ,  光電子分光分析