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J-GLOBAL ID：202202242379628016   整理番号：22A1707774

3次元積層型CMOSイメージセンサ向けSiウェーハの製品設計(I)-CH₃O分子イオン注入ウェーハによるSiO₂/Si界面準位欠陥の低減-

Product Design of Silicon Wafers for 3D Stacked CMOS Image Sensor (I)-Reduction of SiO₂/Si Interface State using CH₃O-Molecular-Ion-Implanted Wafers-

著者 (9件)： 奥山亮輔 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  鈴木陽洋 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 69th  ページ： ROMBUNNO.26p-E104-5  発行年： 2022年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに.画素と画素データ処理機能が別々のウェーハに形成され接合をおこなう3次元積層型CMOSイメージセンサ(CIS)はウェーハ接合部の界面の増加および分光感度特性の向上を目的としたDeep Trench Isolation(DTI)の...【本文一部表示】

シソーラス用語： *界面 ,  電圧 ,  熱処理 ,  *表面準位 ,  アルミニウム ,  *ケイ素 ,  酸素 ,  水素 ,  不動態化 ,  *イオン注入 ,  *二酸化ケイ素 ,  炭化水素 ,  画素 ,  *三次元 ,  深さプロフィル ,  改変

分類 (1件)： レーザの応用  (BD04100V)

タイトルに関連する用語 (11件)： 3次元 ,  CMOSイメージセンサ ,  Siウェーハ ,  製品設計 ,  分子イオン ,  注入 ,  ウェーハ ,  SiO2 ,  Si ,  界面準位 ,  欠陥