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J-GLOBAL ID：202202254478423368   整理番号：22A0132188

3次元積層型CIS向け多元素分子イオン注入エピウェーハの特性(I)CH₂P注入エピウェーハの注入レンジにおける水素脱離挙動の理論解析

Characteristic of Multi-element Molecular Ion Implanted Epitaxial Wafers for 3D-stacked CIS (I)-Model of Hydrogen Dissociation and Association in Projection Range of CH₂P-

著者 (9件)： 奥山亮輔 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  鈴木陽洋 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.10p-N203-4  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： 雑音 ,...
準シソーラス用語： TCAD

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分類 (5件)： 光源  (BD07020D) ,  有機化合物の磁気共鳴スペクトル(分子)  (BH06073K) ,  細胞膜の輸送  (EF04020R) ,  レーダ  (ND13010H) ,  電子スピン共鳴一般  (BM07021V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 3次元 ,  CIS ,  元素 ,  分子イオン ,  注入 ,  レンジ ,  水素脱離 ,  挙動 ,  理論解析