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J-GLOBAL ID：202202260917657124   整理番号：22A1415755

一次元半導体のヘテロ接合に成功-原子サイズの半導体デバイスの実現

著者 (7件)： 脇坂聖憲 (東北大 学際科学フロンティア研) ,  脇坂聖憲 (東北大 大学院理学研究科) ,  WU Hashen (内モンゴル師範大) ,  井口弘章 (東北大 大学院理学研究科) ,  井口弘章 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  山下正廣 (東北大 大学院理学研究科) ,  高石慎也 (東北大 大学院理学研究科)
資料名： 化学  (Chemistry)
巻： 77  号： 6  ページ： 32-36  発行年： 2022年06月01日 
JST資料番号： F0095A  ISSN： 0451-1964  CODEN： KAKYAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・ハロゲン架橋一次元金属錯体(MX)は物質的には三次構造だが,層間と鎖間の相互作用は弱く,電子の通り道は金属イオンとハロゲン化物イオンの一元鎖方向に限定される擬一次元電子系物質。
・MXはPeierls不安定性が強く働き,PdやPtのMXでは混合原子価状態で,電荷密度波状態をとり,NiのMXはMott-Hubbard(MH)状態をとる等,分子設計と固体物性は強くリンク。
・電解酸化により電極上に[Ni(chxn)₂Br]Br₂の単結晶を作製し,Pd錯体の溶液に浸漬して電解酸化すると,[Pd((chxn)₂Br]Br₂領域を持つヘテロ構造が生成。
・ヘテロ接合領域の反射紫外可視近赤外スペクトルの測定により,二種類の一次元電子系の方向が揃っていることを確認,電気化学的エピタキシャル法により,MX鎖の方向が揃ったヘテロ構造ができることを確認。
・一次元ヘテロ接合の電子状態を走査型トンネル顕微鏡により見ると,Ni領域はMH状態,Pd領域はCDWで,接合部はどちらとも異なる変調した領域であり,2種類のMX鎖が原子スケールでつながることを証明。

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *低次元系 ,  *ニッケル錯体 ,  *パラジウム錯体 ,  白金錯体 ,  ブロモ錯体 ,  混合原子価 ,  電荷密度波 ,  絶縁体 ,  不安定性 ,  アノード酸化 ,  電解合成 ,  反射スペクトル ,  エピタクシー ,  可視スペクトル ,  紫外スペクトル ,  電子状態 ,  顕微鏡観察 ,  半導体素子 ,  *半導体接合 ,  Mott-Hubbard絶縁体 ,  紫外可視スペクトル ,  走査型トンネル顕微鏡法
準シソーラス用語： Peierls不安定性 ,  *擬一次元系

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

物質索引 (1件)： (1R,2R)-(-)-1,2-ジアミノシクロヘキサン

タイトルに関連する用語 (6件)： 一次元半導体 ,  ヘテロ接合 ,  成功 ,  原子 ,  サイズ ,  半導体デバイス