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J-GLOBAL ID：202202262964624873   整理番号：22A1706242

アニールによるナノ共振器シリコンラマンレーザの内部欠陥変化

Change of Internal Defects in Nanocavity Silicon Raman Laser by Annealing

著者 (4件)： 生田俊輔 (大阪府大 大学院) ,  浅野卓 (京大 大学院) ,  野田進 (京大 大学院) ,  高橋和 (大阪府大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 69th  ページ： ROMBUNNO.23p-P03-1  発行年： 2022年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【序論】我々は,Siフォトニック結晶ナノ共振器の最高Q値1100万を達成するとともに,Siラマンレーザを開発してきた[1,2].ナノ共振器のさらなる高Q値化は,低損失光回路,ラマンレーザの低閾値化,高感度センサ開発などに重要であり,1.1μ...【本文一部表示】

シソーラス用語： 陰極線ルミネセンス ,  *共振器 ,  散乱 ,  *焼なまし ,  低温 ,  発光 ,  アルゴン ,  ケイ素 ,  *Ramanレーザ ,  スペクトル ,  近赤外線 ,  Q値 ,  *微小共振器 ,  フォトニック結晶 ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： その他の光デバイス  (BD06060O) ,  レーザの応用  (BD04100V)

タイトルに関連する用語 (5件)： アニール ,  ナノ共振器 ,  シリコン ,  ラマンレーザ ,  内部欠陥