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J-GLOBAL ID：202202288962163302   整理番号：22A1707777

3次元積層型CMOSイメージセンサ向けSiウェーハの製品設計(IV)-Si系分子イオン注入において炭素がゲッタリング能力に与える影響-

Product Design of Silicon Wafers for 3D Stacked CMOS Image Sensor (IV)-Effect of carbon on gettering capability in Si-based molecular ion implantation-

著者 (8件)： 廣瀬諒 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  鈴木陽洋 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 69th  ページ： ROMBUNNO.26p-E104-8  発行年： 2022年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： イオンビーム ,...

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分類 (2件)： 生体膜一般  (EF04010G) ,  蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 3次元 ,  CMOSイメージセンサ ,  Siウェーハ ,  製品設計 ,  Si ,  分子イオン ,  注入 ,  炭素 ,  ゲッタリング ,  能力