特許

J-GLOBAL ID：202203016247014642

Ga2O3系半導体素子

発明者： 東脇 正高 ,  中田 義昭 ,  上村 崇史 ,  ワン マンホイ ,  佐々木 公平 ,  脇本 大樹
出願人/特許権者： 国立研究開発法人情報通信研究機構 ,  株式会社タムラ製作所 ,  株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
代理人 (1件)： 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-088866
公開番号（公開出願番号）：特開2018-186246
特許番号：特許第7008293号
出願日： 2017年04月27日
公開日（公表日）： 2018年11月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ドナーを含むGa2O3系結晶層と、 前記Ga2O3系結晶層の全体に形成されたN添加領域と、 を有する、 Ga2O3系半導体素子。

IPC (12件)：

H01L 29/24 ( 200 6.01) ,  C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 23/08 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01)

FI (14件)：

H01L 29/24 ,  C30B 29/16 ,  C30B 23/08 M ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/86 301 M ,  H01L 29/86 301 E ,  H01L 29/58 G ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• Ga2O3系単結晶の高抵抗領域形成方法、並びに、結晶積層構造体及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-160092   出願人：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構
• 窒化ガリウム系半導体電子デバイス、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及びエピタキシャル基板を作製する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-314652   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体素子及びその製造方法、並びに結晶積層構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-129307   出願人：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構

引用文献：

審査官引用 (1件)

• First-principles study on electronic structure and optical properties of N-doped P-type β-Ga2O3