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J-GLOBAL ID：202302243095133817   整理番号：23A0204855

イオン注入ダメージ量の異なるInGaN量子井戸の輻射・非輻射再結合寿命の分離評価

Separated Evaluation of Radiative and Non-Radiative Recombination Lifetimes in Ion-implanted InGaN Quantum Wells

著者 (12件)： 森恵人 (金沢工大) ,  森本悠也 (金沢工大) ,  山肥田涼 (金沢工大) ,  今城大渡 (金沢工大) ,  柏木咲希 (金沢工大) ,  高野泰雅 (金沢工大) ,  石田悠 (金沢工大) ,  山口敦史 (金沢工大) ,  草薙進 (ソニーグループ) ,  蟹谷裕也 (ソニーグループ) ,  工藤喜弘 (ソニーグループ) ,  冨谷茂隆 (ソニーグループ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 83rd  ページ： ROMBUNNO.20p-B202-2  発行年： 2022年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： *再結合 ,...
準シソーラス用語： *非放射再結合

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分類 (5件)： 細胞生理一般  (EF02010S) ,  培養工学一般  (FK02010I) ,  脂質一般  (EB05010B) ,  励起子  (BM02120E) ,  生体膜一般  (EF04010G)

タイトルに関連する用語 (8件)： イオン注入 ,  ダメージ ,  InGaN ,  量子井戸 ,  輻射 ,  非輻射再結合 ,  寿命 ,  評価