文献

J-GLOBAL ID：202302247945463384   整理番号：23A2522211

超音波によるリン添加CZシリコンAs-grown結晶の原子空孔の電子状態の研究

Ultrasonic Study of electronic state of vacancy in as-grown crystals of P-doped CZ silicon

著者 (4件)： 本井茉実 (新潟大 大学院) ,  佐藤晴耕 (新潟大 大学院) ,  赤津光洋 (新潟大 理) ,  根本祐一 (新潟大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 78  号： 1  ページ： ROMBUNNO.24pPSH-2  発行年： 2023年03月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： シリコンは半導体デバイスの基盤材料であり、結晶中にボイドや転位クラスターなどの巨視的欠陥が存在すると電気特性に悪影響を及ぼす。そのため巨視的欠陥の生成要因となる原子空孔を定量評価し制御する技術の確立が求められている。従来の方法では原子空孔の...【本文一部表示】

シソーラス用語： *超音波 ,  *リン ,  Czochralski法 ,  *ケイ素 ,  *空孔欠陥 ,  *電子状態 ,  *添加 ,  弾性係数 ,  温度依存性 ,  *原子空孔

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 超音波 ,  リン ,  シリコン ,  結晶 ,  原子空孔 ,  電子状態 ,  研究