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J-GLOBAL ID：202302251067120080   整理番号：23A0310777

輻射・非輻射再結合の同時計測による窒化物半導体における再結合機構の解明へ向けた研究

Experimental Studies on the Recombination Mechanism in III-Nitride Semiconductors by Simultaneous Measurements of Radiative and Non-Radiative Recombinations

著者 (7件)： 森恵人 (金沢工大 大学院工学研究科) ,  森本悠也 (金沢工大 大学院工学研究科) ,  山口敦史 (金沢工大 大学院工学研究科) ,  草薙進 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  蟹谷裕也 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  工藤喜弘 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  冨谷茂隆 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 122  号： 271(ED2022 24-48)  ページ： 73-76 (WEB ONLY)  発行年： 2022年11月17日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化物半導体光デバイスの活性層に用いられるInGaNやAlGaNの量子井戸(QW)における再結合のキャリアダイナミクスは完全には解明されていない.我々は,内部量子効率(IQE)を正確に見積もることがキャリアダイナミクスの包括的な理解につながると考え,キャリアが再結合する際に発生する光と熱の両方を計測しIQEの絶対値を実験から推定する,光音響(PA)・発光(PL)同時計測法を提案している.本研究では,このPA・PL同時計測法と時間分解PL測定を組み合わせて,種々のInGaN-QWs試料における輻射・非輻射再結合寿命の励起キャリア密度依存性を分離評価した.(著者抄録)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *化合物半導体 ,  *量子井戸 ,  動力学 ,  量子効率 ,  *キャリア再結合 ,  キャリア寿命 ,  再結合 ,  *同時計測 ,  光学素子 ,  活性層 ,  光音響分光法 ,  光ルミネセンス ,  発光分光法 ,  キャリア密度 ,  *窒化物半導体 ,  放射再結合 ,  *窒化インジウムガリウム ,  *キャリア動力学 ,  時間分解光ルミネセンス
準シソーラス用語： *InGaN ,  *キャリアダイナミックス ,  再結合寿命 ,  時間分解発光分光法 ,  内部量子効率 ,  半導体光デバイス ,  非放射再結合

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (13件)：

• S. F. Chichibu, et al., Appl. Phys. Lett. 86, 021914(2005).
• T. Langer, et al., Appl. Phys. Lett. 103, 022108 (2013).
• T. Takeuchi, et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L382(1997).
• T. Takeuchi, et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998)
• T. Nakano, et al., Proc. SPIE 9748, 97481W-1 (2016).

タイトルに関連する用語 (6件)： 輻射 ,  非輻射再結合 ,  同時計測 ,  窒化物半導体 ,  再結合 ,  研究