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J-GLOBAL ID：202302257155744672   整理番号：23A0407309

Sr添加CeF₃における点欠陥形成挙動とフッ化物イオン伝導の第一原理計算

First-principles calculations of defect formation behavior and fluoride ion conduction in Sr-doped CeF₃

著者 (6件)： 桑原彰秀 (JFCC) ,  小川貴史 (JFCC) ,  FISHER Craig A. J. (JFCC) ,  森分博紀 (JFCC) ,  幾原雄一 (東大) ,  幾原雄一 (JFCC)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)
巻： 35th  ページ： ROMBUNNO.3D08 (WEB ONLY)  発行年： 2022年09月07日 
JST資料番号： L2240C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 点欠陥 ,  アニオン ,  計算 ,  イオン伝導 ,  計算機シミュレーション ,  密度汎関数法 ,  *セリウム化合物 ,  *フッ化物 ,  ストロンチウム ,  結晶構造 ,  置換型固溶体 ,  フッ化物イオン ,  第一原理計算 ,  *フッ化セリウム ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： NEB法

分類 (1件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (6件)： SR ,  点欠陥 ,  挙動 ,  フッ化物イオン ,  伝導 ,  第一原理計算