3次元積層型CMOSイメージセンサ向けCH<sub>4</sub>N分子イオン注入エピタキシャルシリコンウェーハの水素拡散挙動

奥山亮輔; 門野武; 柾田亜由美; 鈴木陽洋; 小林弘治; 重松理史; 廣瀬諒; 古賀祥泰; 栗田一成

文献

J-GLOBAL ID：202302260868549691 整理番号：23A0204968

3次元積層型CMOSイメージセンサ向けCH₄N分子イオン注入エピタキシャルシリコンウェーハの水素拡散挙動

Hydrogen diffusion behavior of CH₄N-molecular-ion-implanted wafers for 3D stacked CMOS image sensors

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巻： 83rd ページ： ROMBUNNO.20p-C202-5 発行年： 2022年08月26日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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脂質一般 , 細胞膜の輸送

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3次元積層型CMOSイメージセンサ向けCH4N分子イオン注入エピタキシャルシリコンウェーハの水素拡散挙動

3次元積層型CMOSイメージセンサ向けCH₄N分子イオン注入エピタキシャルシリコンウェーハの水素拡散挙動