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J-GLOBAL ID：202302281524054478   整理番号：23A2512940

シリコン・炭素系混合分子イオン注入エピタキシャルウェーハのSiO₂/Si界面準位欠陥に対するパッシベーション効果の解析

Analysis of Passivation Effect on SiO₂/Si Interface State Defects of Silicon Hydride and Hydrocarbon Hybrid-Molecular-Ion-Implanted Silicon Epitaxial Wafer

著者 (9件)： 奥山亮輔 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  鈴木陽洋 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 70th  ページ： ROMBUNNO.15a-D511-10  発行年： 2023年02月27日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： 活性化エネルギー ,...
準シソーラス用語： デバイス特性

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分類 (3件)： 生体膜一般  (EF04010G) ,  レーザの応用  (BD04100V) ,  蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N)

タイトルに関連する用語 (11件)： シリコン ,  炭素 ,  分子イオン ,  注入 ,  エピタキシャルウェーハ ,  SiO2 ,  Si ,  界面準位 ,  欠陥 ,  パッシベーション ,  解析