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J-GLOBAL ID：202302285579721408   整理番号：23A0407120

エピタキシャル(K_0.4Na_0.6)NbO₃薄膜のドメインスイッチングが圧電応答に及ぼす影響

Influence of domain switching in epitaxial (K_0.4Na_0.6)NbO₃ thin films on the piezoelectric response

著者 (8件)： YUAN Xueyou (名古屋大) ,  岡本一輝 (名古屋大) ,  川野充季 (名古屋大) ,  吉野正人 (名古屋大) ,  長崎正雅 (名古屋大) ,  今井康彦 (高輝度光科学研究セ) ,  坂田修身 (高輝度光科学研究セ) ,  山田智明 (名古屋大)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)
巻： 35th  ページ： ROMBUNNO.2K23 (WEB ONLY)  発行年： 2022年09月07日 
JST資料番号： L2240C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ニオブ酸塩 ,  カリウム化合物 ,  ナトリウム化合物 ,  エピタクシー ,  *スイッチング ,  応答 ,  MEMS ,  圧電材料 ,  強誘電体 ,  材料 ,  誘電体薄膜 ,  特性 ,  パルスレーザ蒸着 ,  結晶方位 ,  格子定数 ,  圧電気 ,  定数 ,  蒸着膜 ,  電歪 ,  圧電応答 ,  強誘電体薄膜 ,  圧電定数 ,  鉛フリー圧電材料
準シソーラス用語： *ドメインスイッチング ,  非鉛系圧電材料 ,  鉛フリー材料 ,  圧電特性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  ドメインスイッチング ,  圧電応答