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J-GLOBAL ID：202302285990950749   整理番号：23A1045953

パワー回路の寄生共振周期に着目したパワーループインダクタンス低減に頼らないターンオフサージの抑制指針

Turn-off Surge Suppression Strategy Based on Parasitic Resonance Period in Replace of Power Loop Inductance Reduction

著者 (4件)： 阿部洸希 (岡山大) ,  石原將貴 (岡山大) ,  梅谷和弘 (岡山大) ,  平木英治 (岡山大)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2023  ページ： ROMBUNNO.4-021  発行年： 2023年03月01日 
JST資料番号： S0653B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・高速スイッチングが可能なGaN FETの高速ターンオフサージへの対処法を検討した結果を報告。
・ターンオフサージの理論式を導出し,実験で経験したサージがほとんど発生しない現象を解明し,効果的なターンオフサージ抑制指針を提案。
・寄生共振周期を調整することで,ターンオフサージを大幅に低減するスイッチングが可能になることを確認。

シソーラス用語： HEMT ,  *ターンオフ ,  *電気サージ ,  スイッチング ,  *共振周波数 ,  寄生
準シソーラス用語： GaN HEMT ,  *サージ【電気】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (1件)：

• J. Wang, H. S.-h. Chung and R. T.-h. Li, IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 28, no. 1, pp. 573-590, 2013

タイトルに関連する用語 (4件)： パワー ,  寄生 ,  着目 ,  指針