多分子膜、多分子膜の製造方法及び積層体

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：稲葉良幸 , 大貫敏史 , 江口昭彦 , 内藤和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-105814
公開番号（公開出願番号）：特開2023-004241
出願日： 2021年06月25日
公開日（公表日）： 2023年01月17日
要約：

【課題】化学修飾が可能であり、かつ、取り扱い性に優れる、多分子膜を提供する。【解決手段】第1の単分子層と、前記第1の単分子層上に配される第2の単分子層と、を含む多分子膜であって、前記第1の単分子層及び前記第2の単分子層が、下記式(1)で表されるフラーレン誘導体分子に由来する構造を有する、多分子膜。 JPEG 2023004241000015.jpg 48 170 (式(1)中、R 1 は、各々独立に、水素結合性基又は炭化水素基を有する有機基を表し、少なくとも1つのR 1 は水素結合性基を有する有機基であり、R 2 は、水素原子、置換基を有してもよいC 1 ~C 10 炭化水素基又はメタロセン基を表す。) 【選択図】なし

請求項（抜粋）：

第1の単分子層と、前記第1の単分子層上に配される第2の単分子層と、を含む多分子膜であって、前記第1の単分子層及び前記第2の単分子層が、下記式(1)で表されるフラーレン誘導体分子に由来する構造を有する、多分子膜。

IPC (4件)：

C01B 32/152 , H01M 8/101 , H01M 8/106 , B32B 9/00

FI (4件)：

C01B32/152 , H01M8/1016 , H01M8/1069 , B32B9/00 A

Fターム (20件)：

4F100AA37A , 4F100AA37B , 4F100BA02 , 4F100BA10A , 4F100BA10B , 4F100JM02A , 4F100JM02B , 4F100YY00A , 4F100YY00B , 4G146AA07 , 4G146AA08 , 4G146AB07 , 4G146BA04 , 4G146CB10 , 4G146CB19 , 4G146CB35 , 5H028FF08 , 5H126AA03 , 5H126JJ03 , 5H126JJ05

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第5062765号
特許第5062766号

審査官引用 (1件)

上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-272516 出願人：AZエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社

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