特許
J-GLOBAL ID:202303015071785303

光電変換素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 重野 剛 ,  重野 隆之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2021-176630
公開番号(公開出願番号):特開2023-066113
出願日: 2021年10月28日
公開日(公表日): 2023年05月15日
要約:
【課題】薄膜太陽電池の光電変換効率や量子ドットLED発光輝度を向上させる。 【解決手段】上部電極と下部電極とにより構成される一対の電極と、一対の電極間に位置し、ペロブスカイト型半導体材料を含有する活性層と、活性層と一対の電極の少なくとも一方との間に位置し、下記式(I)で表される、重量平均分子量(Mw)が10,000以上200,000以下の高分子化合物を含有する層とを有する薄膜太陽電池。 TIFF 2023066113000022.tif 41 140 (Xは置換基を有していてもよい、1又は2以上の芳香環を有する2価の基。R 1 およびR 2 、R 3 およびR 4 は水素原子又は1価の有機基。R 1 およびR 2 、R 3 およびR 4 はそれぞれ置換基を介して結合していてもよい。nは整数。) 【選択図】なし
請求項(抜粋):
上部電極と下部電極とにより構成される一対の電極と、前記一対の電極間に位置し、ペロブスカイト型半導体材料を含有する活性層と、前記活性層と前記一対の電極の少なくとも一方との間に位置し、下記式(I)で表される、重量平均分子量(Mw)が10,000以上200,000以下の高分子化合物を含有する層とを有する薄膜太陽電池。
IPC (4件):
H10K 30/50 ,  H05B 33/14 ,  H10K 50/15 ,  H05B 33/10
FI (7件):
H01L31/04 112Z ,  H01L31/04 152G ,  H01L31/04 152J ,  H01L31/04 168 ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/22 D ,  H05B33/10
Fターム (10件):
3K107AA06 ,  3K107AA08 ,  3K107CC02 ,  3K107CC03 ,  3K107DD55 ,  3K107DD56 ,  3K107DD57 ,  3K107FF14 ,  3K107FF18 ,  5F151AA11
引用特許:
審査官引用 (4件)
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引用文献:
審査官引用 (1件)
  • Iron-catalysed regioselective thienyl C-H/C-H coupling

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