特許
J-GLOBAL ID:202303015071785303
光電変換素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
重野 剛
, 重野 隆之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2021-176630
公開番号(公開出願番号):特開2023-066113
出願日: 2021年10月28日
公開日(公表日): 2023年05月15日
要約:
【課題】薄膜太陽電池の光電変換効率や量子ドットLED発光輝度を向上させる。
【解決手段】上部電極と下部電極とにより構成される一対の電極と、一対の電極間に位置し、ペロブスカイト型半導体材料を含有する活性層と、活性層と一対の電極の少なくとも一方との間に位置し、下記式(I)で表される、重量平均分子量(Mw)が10,000以上200,000以下の高分子化合物を含有する層とを有する薄膜太陽電池。
TIFF
2023066113000022.tif
41
140
(Xは置換基を有していてもよい、1又は2以上の芳香環を有する2価の基。R
1
およびR
2
、R
3
およびR
4
は水素原子又は1価の有機基。R
1
およびR
2
、R
3
およびR
4
はそれぞれ置換基を介して結合していてもよい。nは整数。)
【選択図】なし
請求項(抜粋):
上部電極と下部電極とにより構成される一対の電極と、前記一対の電極間に位置し、ペロブスカイト型半導体材料を含有する活性層と、前記活性層と前記一対の電極の少なくとも一方との間に位置し、下記式(I)で表される、重量平均分子量(Mw)が10,000以上200,000以下の高分子化合物を含有する層とを有する薄膜太陽電池。
IPC (4件):
H10K 30/50
, H05B 33/14
, H10K 50/15
, H05B 33/10
FI (7件):
H01L31/04 112Z
, H01L31/04 152G
, H01L31/04 152J
, H01L31/04 168
, H05B33/14 Z
, H05B33/22 D
, H05B33/10
Fターム (10件):
3K107AA06
, 3K107AA08
, 3K107CC02
, 3K107CC03
, 3K107DD55
, 3K107DD56
, 3K107DD57
, 3K107FF14
, 3K107FF18
, 5F151AA11
引用特許: