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J-GLOBAL ID:202402219930192483   整理番号:24A1646707

硬X線光電子分光によるIn1.95-yMn0.05SnyO3薄膜へのMn置換効果の研究

Mn substitution effect in In1.95-yMn0.05SnyO3 thin films studied by hard x-ray photoemission spectroscopy
著者 (8件):
資料名:
巻: 79  号:ページ: ROMBUNNO.18pE2-8  発行年: 2024年03月22日 
JST資料番号: S0671C  ISSN: 2189-079X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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酸化インジウムスズIn2-ySnyO3 (ITO)はIn3+サイトへのSn4+置換により高い電気伝導性を示し、フラットパネルディスプレイなどに用いられている重要な透明半導体の一つである[1,2]。このITOのIn3+サイトにMn2+を2.5...【本文一部表示】
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分類 (2件):
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電子分光スペクトル  ,  半導体結晶の電子構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
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