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J-GLOBAL ID：202402222195923643   整理番号：24A2196973

単結晶SiC基板のナノスクラッチ特性(第1報)-N型4H-SiCのSi面のナノスクラッチ-

Nanoscratching Characteristics of Single-crystal SiC Substrates (1st Report)-Nanoscratching on the Si-Face of N-type 4H-SiC-

著者 (8件)： 三枝剣悟 (茨城大) ,  望月勇杜 (茨城大) ,  清水淳 (茨城大) ,  山本武幸 (茨城大) ,  金子和暉 (茨城大) ,  小貫哲平 (茨城大) ,  尾嶌裕隆 (茨城大) ,  ZHOU Libo (茨城大)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集(CD-ROM)  (精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集(CD-ROM))
巻： 2024  号： 秋季  ページ： ROMBUNNO.E108  発行年： 2024年08月22日 
JST資料番号： Y0914B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パワーデバイス用次世代半導体としての応用拡大が期待されるN形4H-SiCの加工効率や加工精度を明らかにするには,微小砥粒による機械的除去メカニズムを明らかにすることが重要である.本報では,その初期の試みとして,Si面に対し単結晶ダイヤモンドプローブによるナノスクラッチングを試みた際の,加工形態や工具摩耗,臨界加工応力などを評価した結果について報告する.(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素基板 ,  *ナノスクラッチ ,  プローブ ,  単結晶ダイアモンド ,  工具摩耗 ,  機械的性質 ,  性質
準シソーラス用語： *SiC基板

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  SiC基板 ,  ナノスクラッチ ,  4H-SiC ,  Si