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J-GLOBAL ID：202402224203590403   整理番号：24A1395241

ダイヤモンドヘテロエピ基板上に作製したショットキーバリアダイオード特性:デバイスキラー欠陥低減の効果

Diamond Schottky barrier diodes fabricated on heteroepitaxial substrates: Reduction of device killing defects

著者 (7件)： 笹栗優 (産業技術総合研 センシングシステム研究セ) ,  笹栗優 (九大) ,  蔭浦泰資 (産業技術総合研 センシングシステム研究セ) ,  SITTIMART Phongsaphak (九大) ,  SREENATH Valappil Mylo (九大) ,  吉武剛 (九大) ,  大曲新矢 (産業技術総合研 センシングシステム研究セ)
資料名： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web)  (Abstract Book. Asian Applied Physics Conference (Web))
巻： 49  ページ： 8 (WEB ONLY)  発行年： 2023年11月25日 
JST資料番号： U0757A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *Schottky障壁ダイオード ,  欠陥 ,  ヘテロエピタクシー ,  基板 ,  電流電圧特性 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： Schottkyバリアダイオード

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 作製 ,  ショットキーバリア ,  ダイオード特性 ,  デバイス ,  欠陥