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J-GLOBAL ID：202402245459505446   整理番号：24A0611453

CMOS互換プロセスで作製されたナノ共振器シリコンラマンレーザの吸収損失除去

Removal of the absorption loss for nanocavity-based Raman silicon laser fabricated by CMOS-compatible process

著者 (3件)： 高橋和 (大阪公大 院) ,  下村悠 (大阪公大 院) ,  岡野誠 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 84th  ページ： ROMBUNNO.20p-A202-6  発行年： 2023年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： Raman散乱 ,...
準シソーラス用語： 共振モード

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分類 (1件)： 生物物理的研究法  (EA03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： CMOS ,  プロセス ,  作製 ,  ナノ共振器 ,  シリコン ,  ラマンレーザ ,  吸収損失