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J-GLOBAL ID：202402272110025513   整理番号：24A0610953

シリコン・炭素系混合分子イオン注入エピタキシャルウェーハの水素パッシベーションによるSiO₂/Si界面準位密度低減効果の解析

Reduction of SiO₂/Si Interface State Density using Hydrogen Passivation Effects of Silicon-Hydride and Hydrocarbon Hybrid Ion-Implanted Epitaxial Wafers

著者 (9件)： 奥山亮輔 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  鈴木陽洋 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 84th  ページ： ROMBUNNO.19p-B201-1  発行年： 2023年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに.SiO2/Si界面準位密度(Dit)の増加に起因したノイズの抑制はCMOSイメージセンサ(CIS)における重要な技術課題の一つである.我々は炭化水素分子イオン注入ウェーハが,その注入領域から外方拡散する水素によってDitを低減...【本文一部表示】

シソーラス用語： *イオン ,  *界面 ,  熱処理 ,  *分子 ,  特性 ,  *ケイ素 ,  *水素 ,  *炭素 ,  *不動態化 ,  *イオン注入 ,  *二酸化ケイ素 ,  炭化水素 ,  *ウエハ【IC】 ,  ダングリングボンド ,  *分子イオン ,  *改変
準シソーラス用語： デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： レーダ  (ND13010H) ,  その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (12件)： シリコン ,  炭素 ,  分子イオン ,  注入 ,  エピタキシャルウェーハ ,  水素 ,  パッシベーション ,  SiO2 ,  Si ,  界面準位密度 ,  低減効果 ,  解析