文献

J-GLOBAL ID：202402277867609635   整理番号：24A0235026

ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定

Simultaneous microscopic PA/PL line-scan measurements in InGaN-quantum wells on a stripe-core GaN Substrate

著者 (7件)： 神野翔綺 (金沢工大 大学院工学研究科) ,  山口敦史 (金沢工大 大学院工学研究科) ,  森恵人 (金沢工大 大学院工学研究科) ,  草薙進 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  蟹谷裕也 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  冨谷茂隆 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ,  工藤喜弘 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 123  号： 288(ED2023 14-37)  ページ： 52-55 (WEB ONLY)  発行年： 2023年11月23日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々は,InGaN量子井戸発光層の電子構造とキャリアダイナミクスを完全に理解するためには,正確な内部量子効率(IQE)が必要であると考え,正確なIQEを決定するための光音響(PA)測定とフォトルミネッセンス(PL)測定の同時計測を提案している。今回は,欠陥密度が位置によって大きく変化するストライプコアGaN基板上のInGaN量子井戸試料を用いて,PA・PL同時計測のラインスキャン測定を行った。その結果,PA強度とPL強度は相補的であるという妥当な結果が得られた。IQEを正しく見積もるためには,この相補性を定量的に解析する必要があるが,現状では励起光の基板吸収などの影響があり,そうした影響を取り除く必要がある。(著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *量子井戸 ,  層 ,  エレクトロルミネセンス ,  *量子効率 ,  光音響スペクトル ,  スペクトル ,  光ルミネセンス ,  発光層 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： GaN ,  *InGaN ,  フォトルミネセンススペクトル ,  *内部量子効率

分類 (1件)： その他の光学的効果  (BM08040H)

引用文献 (6件)：

• A. A. Yamaguchi, et al., IEICE Trans. Electron. E101-C, 527 (2018)
• K. Okamoto, et. al., Phys. Status Solidi C, 5, 9 (2008).
• R. Partt, et. al., Jpn. J. Appl. Phys. 37 pp. L 275 (1998).
• A. A. Yamaguchi, et. al., Jpn. J. Appl. Phys. 39, 2402 (2000).
• A. Rosencwaig, et al, J. Appl. Phys. 47, 64 (1976).

タイトルに関連する用語 (7件)： コア ,  GaN ,  InGaN ,  量子井戸 ,  Pa ,  PL ,  スキャン