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J-GLOBAL ID：202402280892201175   整理番号：24A2709634

RFマグネトロンスパッタ法によるダイヤモンド(100)基板上へのβ-Ga₂O₃薄膜の一軸配向成長

Epitaxial growth of β-Ga₂O₃ Thin Films on diamond (100) by RF magnetron sputtering

著者 (6件)： 綿谷敦志 (九大 大学院) ,  SITTIMART Phongsaphak (九大 大学院) ,  楢木野宏 (九大 大学院) ,  片宗優貴 (九州工大 大学院) ,  大曲新矢 (産業技術総合研) ,  吉武剛 (九大 大学院)
資料名： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web)  (Abstract Book. Asian Applied Physics Conference (Web))
巻： 48  ページ： 29 (WEB ONLY)  発行年： 2022年11月26日 
JST資料番号： U0757A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  ダイヤモンド ,  基板 ,  β-酸化ガリウム(III) ,  薄膜 ,  *薄膜成長 ,  製膜 ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタ法 ,  β-酸化ガリウム

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFマグネトロンスパッタ法 ,  ダイヤモンド ,  β-Ga2O3 ,  薄膜 ,  一軸配向 ,  成長