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J-GLOBAL ID:202402290657483537   整理番号:24A0302247

ケルビン端子を有するパワーデバイスに寄生するコモンソースインダクタンスの発生メカニズムの解明

Elucidation of the mechanism of the common source inductance of power devices with the kelvin source terminal
著者 (6件):
資料名:
巻: 2023  ページ: ROMBUNNO.1-42  発行年: 2023年 
JST資料番号: L2177B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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ケルビンソースパッケージは,通常のソースインダクタンス(CSI)を低減するための高出力超高速スイッチングデバイスに普及し,ドレイン電流の過渡的変化でゲート回路における雑音電圧を誘起し,誤動作を引き起こす。しかし,その重要性にもかかわらず,CSIの実際の測定は,それらの小さなインダクタンス値のため,ケルビンソースパッケージでは報告されていない。本論文は,典型的ケルビンソースパッケージTO-247-4LのCSIを測定した。その結果,このケルビンソースパッケージのCSIは0.2nH~0.7nHであり,1A/ns以上のスイッチング速度では無視できないことが分かった。さらに,CSIのこの変化は電源とゲーティング源のボンディングワイヤ間の磁気結合から生じ,ボンディングワイヤの分離がCSIをさらに低減できることを暗示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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トランジスタ 
引用文献 (10件):
  • F. Jiang, S Yang and K Sheng: “Comparative study on temperature-dependent characteristic parameters of SiC MOSFET”, Journal of Power Supply., Vol. 16, NO. 6, pp. 143-151, (2018)
  • K. Umetani, R. Matumoto, and E. Hiraki: “Prevention of Oscillatory False Triggering of GaN-FETs by Balancing Gate-Drain Capacitance and Common-Source Inductance”, IEEE Trans. Power Electron, Vol.55, No. 1 pp. 610-619, (2018)
  • Y. Hatakenaka, K. Umetani, M. Ishihara and E. Hiraki: “Optimization of common source inductance and gate-drain capacitance for reducing gate voltage fluctuation after turn-off transition”, in Proc. IEEE Energy Convers. Congr. Expo., pp. 3155-3162, (2020)
  • ROHM Corp.“Improvement of switching loss by driver source”, pp.1-2, Apr. (2020)
  • Texas Instruments, “LM5113 datasheet,” p.12, Apr. (2013)
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