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J-GLOBAL ID：202502216111828016   整理番号：25A3042922

Siドーピングが単結晶ダイヤモンド(111)基板上に成膜したβ-Ga₂O₃膜の結晶性に与える影響

Effect of Si-doping on crystallinity of β-Ga₂O₃ films deposited on single crystalline diamond (111) substrates

著者 (10件)： 池上悠登 (九大) ,  M. V. Sreenath (九大) ,  WANG Y. (九大) ,  御園樹 (九大) ,  片宗優貴 (九州工大 工) ,  楢木野宏 (九大) ,  大曲新矢 (産業技術総合研) ,  蔭浦泰資 (産業技術総合研) ,  ZKRIA A. (九大) ,  吉武剛 (九大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
巻： 86th  ページ： ROMBUNNO.9p-N105-9  発行年： 2025年 
JST資料番号： Y0054C  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *単結晶ダイアモンド ,  *β-酸化ガリウム(III) ,  ワイドギャップ半導体 ,  *結晶構造 ,  構造変化 ,  ドーピング ,  ケイ素 ,  絶縁耐力 ,  薄膜形成 ,  *スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *エピタキシャル膜 ,  *X線回折 ,  非晶質 ,  スパッタリング ,  ターゲット ,  材料
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング ,  *XRD分析 ,  *β-酸化ガリウム ,  アモルファス相 ,  *ケイ素ドーピング ,  スパッタリングターゲット材料 ,  *ダイヤモンド基板 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  *酸化ガリウム薄膜 ,  成膜

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ドーピング ,  単結晶ダイヤモンド ,  成膜 ,  β-Ga2O3 ,  結晶性