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J-GLOBAL ID：202502223887987156   整理番号：25A0733821

ホウ素ドープカーボンナノウォールの高速合成と物性

High-speed Synthesis and Characterization of B-doped Carbon Nano-wall

著者 (10件)： 金田美優 (岡山大 大学院) ,  萱原空輝 (岡山大 理) ,  深田幸正 (原子力発電技術機構) ,  吉井賢資 (原子力発電技術機構) ,  福田竜生 (原子力発電技術機構) ,  吉越章隆 (原子力発電技術機構) ,  小畠雅明 (原子力発電技術機構) ,  池田直 (岡山大 大学院) ,  狩野旬 (岡山大 大学院) ,  藤井達生 (岡山大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 85th  ページ： ROMBUNNO.17a-P01-6  発行年： 2024年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： カーボンナノチューブ(CNT)やグラフェン(GP)などの新しい炭素素材は,高い強度,電気伝導性,伝熱特性などに優れ,産業応用のためにCNTやGPを大量に安価に製造する技術開発が行われている。そこでは安価で安定供給が可能な材料を用い,さらに低...【本文一部表示】

シソーラス用語： アクセプタ ,  活性化エネルギー ,  プラズマ ,  電圧 ,  電流 ,  半導体 ,  粉体 ,  マイクロ波 ,  石英 ,  ケイ素 ,  炭素 ,  活性炭 ,  *ドーピング ,  グラフェン ,  低価格

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (2件)： ホウ素 ,  物性