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J-GLOBAL ID：202502228155218278   整理番号：25A3042572

SiGe/Si(110)構造におけるSiGe薄膜の臨界膜厚評価方法の検討

Examination of Method for Evaluating Critical Thickness of SiGe/Si(110) Structures

著者 (9件)： 臼田宏治 (明治大 MREL) ,  伊波希宇 (産総研 SFRC) ,  伊波希宇 (明治大 理工) ,  熊谷直人 (産総研 SFRC) ,  熊谷直人 (LSTC) ,  入沢寿史 (産総研 SFRC) ,  入沢寿史 (LSTC) ,  小椋厚志 (明治大 MREL) ,  小椋厚志 (明治大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
巻： 86th  ページ： ROMBUNNO.8p-N401-7  発行年： 2025年 
JST資料番号： Y0054C  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  *半導体薄膜 ,  *膜厚 ,  *化学蒸着 ,  バッファ層 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  *緩和現象 ,  X線回折 ,  断面透過型電子顕微鏡 ,  濃度 ,  格子欠陥 ,  状態
準シソーラス用語： Ge濃度 ,  *SiGe半導体薄膜 ,  表面状態 ,  *臨界膜厚 ,  歪緩和

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  Si ,  薄膜 ,  臨界 ,  膜厚 ,  評価方法