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J-GLOBAL ID：202502231581352277   整理番号：25A2922898

温度可変ラマン分光法による結晶シリコン太陽電池の電極周辺Siの歪評価

Strain Evaluation of Si around Electrodes for Crystalline Silicon Solar Cells by Temperature Variable Raman Spectroscopy

著者 (7件)： 長谷部光紀 (明治大 理工) ,  箕輪卓哉 (明治大 理工) ,  中村京太郎 (豊田工大) ,  大下祥雄 (豊田工大) ,  山田昇 (長岡技研大) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  小椋厚志 (明大 MREL)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.16a-K308-4  発行年： 2025年 
JST資料番号： Y0054C  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *結晶シリコン太陽電池 ,  Raman分光法 ,  *亀裂 ,  格子歪 ,  *熱サイクル ,  ヘテロ接合 ,  シリコン(100) ,  基板 ,  プラズマCVD ,  *水素化アモルファスシリコン ,  *結晶性シリコン ,  *多層膜 ,  半導体薄膜 ,  電極
準シソーラス用語： 温度可変Raman分光法 ,  *電極周囲亀裂 ,  パスバー電極

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 可変 ,  ラマン分光法 ,  結晶シリコン太陽電池 ,  周辺 ,  Si ,  歪 ,  評価